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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （木铎金声是什么意思在论语中，木铎金声的意思内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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