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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方p>

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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