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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(p大肖指哪几个生肖，大肖指哪几个生肖动物ǐn)网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙(ló大肖指哪几个生肖，大肖指哪几个生肖动物ng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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