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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护刚和别人做完回家能发现吗，刚和别人做完能从外表看出来吗tyle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>刚和别人做完回家能发现吗，刚和别人做完能从外表看出来吗国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(w刚和别人做完回家能发现吗，刚和别人做完能从外表看出来吗ěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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