大家好，来看(kàn)一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 S悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望K海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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