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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储宋朝二府三司分别是什么，二府三司分别是什么东府和西府芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公宋朝二府三司分别是什么，二府三司分别是什么东府和西府告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性宋朝二府三司分别是什么，二府三司分别是什么东府和西府，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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