大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全12是什么意思(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(12是什么意思de)是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美12是什么意思(měi)光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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