大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，推敲文言文原文及翻译注音，推敲文言文原文及翻译注释中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全推敲文言文原文及翻译注音，推敲文言文原文及翻译注释球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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