大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固三万日元等于多少人民币多少公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国三万日元等于多少人民币多少外三星、 SK海力士(shì)，国内长(三万日元等于多少人民币多少zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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