大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国(g马云移民到哪国籍uó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券马云移民到哪国籍0; line-height: 24px;'>马云移民到哪国籍商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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