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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìbehaviour可数吗，behaviour是可数名词吗n)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内behaviour可数吗，behaviour是可数名词吗(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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