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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息(九年一贯制教育是什么意思啊，九年一贯制啥意思xī)基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第(dì九年一贯制教育是什么意思啊，九年一贯制啥意思)三(sān)大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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