大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng东莞属于几线城市)络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(s东莞属于几线城市hù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(k东莞属于几线城市āi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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