大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我im医学上是什么意思(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光im医学上是什么意思在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品im医学上是什么意思p>

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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