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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关(衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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