大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查无法企及是什么意思，不可企及是什么意思办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi无法企及是什么意思，不可企及是什么意思)的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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