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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守钱塘自古繁华钱塘指的是哪个城市，钱塘指的是哪个城市的别称中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络钱塘自古繁华钱塘指的是哪个城市，钱塘指的是哪个城市的别称安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外N钱塘自古繁华钱塘指的是哪个城市，钱塘指的是哪个城市的别称AND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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