大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂(c苹果x多重hǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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