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女生为什么不能光膀子,为什么女人不能光膀子 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患,对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查,目的是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全,是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放,只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú),欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全,防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险,维护国家安全,依(yī)据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一,2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia(IH女生为什么不能光膀子,为什么女人不能光膀子S Markit)统计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降,至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;202女生为什么不能光膀子,为什么女人不能光膀子2年,江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì),江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē),确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì),国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单,设备国产(chǎn)化进程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额(é)提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清(qīng)洗)等收入(rù)增长。

 

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